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STW56N60M2-4
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW56N60M2-4
No. Parte Newark26AH0275
Rango de ProductoMDmesh M2
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.690 |
| 10+ | $7.750 |
| 25+ | $7.460 |
| 60+ | $7.170 |
| 120+ | $6.880 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW56N60M2-4
No. Parte Newark26AH0275
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id52
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia350
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
STW56N60M2-4 is a N-channel, 600V, 45mohm typ, 52A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package. This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
- Operating junction temperature of 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
350
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
52
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza STW56N60M2-4
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto