Imprimir página
STW56N60M2-4
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STW56N60M2-4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 26AH0275 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
574 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.530 |
| 10+ | $6.540 |
| 25+ | $6.420 |
| 50+ | $6.300 |
| 100+ | $6.180 |
| 250+ | $6.060 |
| 500+ | $5.930 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.53
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STW56N60M2-4Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 26AH0275 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 52 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.045 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Disipación de Potencia | 350 |
| No. de Pines | 4Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
STW56N60M2-4 is a N-channel, 600V, 45mohm typ, 52A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package. This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
- Operating junction temperature of 150°C
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| No. de Pines | 4Pines |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 52 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.045 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 350 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza STW56N60M2-4
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |