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STW4N150
MOSFET, N, 1500 V, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark26M3822
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.450 |
| 10+ | $5.390 |
| 25+ | $5.140 |
| 60+ | $4.900 |
| 120+ | $4.650 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW4N150Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark26M3822
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5kV
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia160W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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