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STW3N150
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW3N150Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark33R1326
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.320 |
| 10+ | $5.520 |
| 25+ | $4.730 |
| 50+ | $3.930 |
| 100+ | $3.640 |
| 250+ | $3.400 |
| 500+ | $3.330 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.32
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW3N150Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark33R1326
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STW3N150 es un MOSFET de potencia PowerMESH de canal N, 1500V, 2.5A, 6 ohms típico, en encapsulado TO247. Está diseñado utilizando el proceso MESH OVERLAY basado en diseño de tiras consolidadas de STMicroelectronics. El resultado es un producto que iguala o mejora el rendimiento de piezas estándar comparables de otros fabricantes.
- Disipación total de potencia de 140W
- Probado avalancha 100%
- Capacidades intrínsecas y Qg minimizados
- Conmutación de alta velocidad
- Temperatura de unión en funcionamiento de 150°C
- Adecuado para aplicaciones de conmutación
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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