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STW34NM60N.
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark28AC3479
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.570 |
| 10+ | $8.620 |
| 25+ | $8.310 |
| 50+ | $8.000 |
| 100+ | $7.690 |
| 250+ | $7.540 |
| 500+ | $7.380 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark28AC3479
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id29
Resistencia de Activación Rds(on)0.092ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.092
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd210W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia210
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.092ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
29
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.092
Disipación de Potencia Pd
210W
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
210
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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