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STW15N95K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW15N95K5
No. Parte Newark45AC7779
Rango de ProductoSuperMESH 5
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.680 |
| 10+ | $4.960 |
| 25+ | $4.250 |
| 60+ | $3.530 |
| 120+ | $3.290 |
| 270+ | $3.060 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW15N95K5
No. Parte Newark45AC7779
Rango de ProductoSuperMESH 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds950
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.41
Resistencia de Activación Rds(on)0.41ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd170W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSuperMESH 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
950
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.41
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
170W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperMESH 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.41ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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