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STW14NK50Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW14NK50ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark26M3814
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.170 |
| 10+ | $4.760 |
| 100+ | $3.350 |
| 500+ | $3.100 |
| 1000+ | $2.700 |
| 2500+ | $2.650 |
| 5000+ | $2.590 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW14NK50ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark26M3814
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id14
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.34
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STW14NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing On-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing repeatability
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
14
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.34
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STW14NK50Z
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto