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STW11NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: No
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW11NK100Z
No. Parte Newark59M2217
Rango de ProductoSTW
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.550 |
| 10+ | $3.770 |
| 25+ | $3.720 |
| 60+ | $3.660 |
| 120+ | $3.610 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW11NK100Z
No. Parte Newark59M2217
Rango de ProductoSTW
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id8.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.38ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia230W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSTW
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.38ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STW
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
230W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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WARNINGProposition 65