Imprimir página
STU2N80K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-251, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTU2N80K5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark45AC7771
Rango de ProductoMDmesh K5
Su número de pieza
529 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.970 |
| 10+ | $0.981 |
| 150+ | $0.899 |
| 525+ | $0.782 |
| 1050+ | $0.697 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.97
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTU2N80K5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark45AC7771
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5
Resistencia de Activación Rds(on)3.5ohm
Diseño de TransistorTO-251
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd45W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia45
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5
Diseño de Transistor
TO-251
Disipación de Potencia Pd
45W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
3.5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
45
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto