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STS4DNF60L
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 4 A, 0.045 ohms, SOIC, Montaje Superficial
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STS4DNF60LCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87X9682 Re-reeling (Rollos a medida)26M3734RL Cinta adhesiva26M3734 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
3,074 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.990 | $2.99 |
| Total Precio | $2.99 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.990 |
| 50+ | $1.550 |
| 100+ | $1.300 |
| 250+ | $1.200 |
| 500+ | $1.100 |
| 1000+ | $1.070 |
| 2500+ | $1.020 |
| 5000+ | $1.000 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.965 |
| 5000+ | $0.930 |
| 7500+ | $0.894 |
| 12500+ | $0.876 |
| 25000+ | $0.858 |
| 62500+ | $0.840 |
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STS4DNF60LCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87X9682 Re-reeling (Rollos a medida)26M3734RL Cinta adhesiva26M3734 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60V |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | 60V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 4A |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | - |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | 4A |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | - |
| Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | 0.055 |
| Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | - |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| No. de Pines | 8Pines |
| Disipación de Potencia de Canal N | 2.5W |
| Disipación de Potencia de Canal P | - |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
- STripFET™ power MOSFET adecuado para aplicaciones de conmutación
- Proceso basado en tiras de tamaño único
- Esquema estándar para un fácil montaje de montaje en superficie automatizado
- Unidad de umbral bajo
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | 60V |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | - |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | - |
| Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | - |
| No. de Pines | 8Pines |
| Disipación de Potencia de Canal P | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60V |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 4A |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | 4A |
| Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | 0.055 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Disipación de Potencia de Canal N | 2.5W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STS4DNF60L
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |