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STS4DNF60L
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 4 A, 0.045 ohms, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60L
No. Parte Newark26M3734
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Hoja de datos técnicos
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Disponible en la cantidad indicada
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 10+ | $1.740 |
| 25+ | $1.510 |
| 50+ | $1.330 |
| 100+ | $1.130 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.863 |
| 5000+ | $0.789 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTS4DNF60L
No. Parte Newark26M3734
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Intensidad Drenador Continua Id4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.5W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STS4DNF60L
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- STripFET™ power MOSFET adecuado para aplicaciones de conmutación
- Proceso basado en tiras de tamaño único
- Esquema estándar para un fácil montaje de montaje en superficie automatizado
- Unidad de umbral bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.055
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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