Imprimir página
STR2P3LLH6
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6
No. Parte Newark45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1,845 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.524 |
| 10+ | $0.380 |
| 25+ | $0.352 |
| 50+ | $0.324 |
| 100+ | $0.296 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.226 |
| 6000+ | $0.218 |
| 12000+ | $0.211 |
| 18000+ | $0.202 |
| 30000+ | $0.192 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6
No. Parte Newark45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.048ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.048ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
350mW
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STR2P3LLH6
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto