Imprimir página
STR2P3LLH6
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5792
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7738RL
Cinta adhesiva45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
Su número de pieza
4,938 En Inventario
48,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.796 | $3.98 |
| Total Precio | $3.98 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.796 |
| 15+ | $0.513 |
| 25+ | $0.503 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.224 |
| 9000+ | $0.202 |
| 15000+ | $0.198 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTR2P3LLH6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5792
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7738RL
Cinta adhesiva45AC7738
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia de Activación Rds(on)0.048ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.048ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STR2P3LLH6
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto