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STQ1HNK60R-AP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTQ1HNK60R-AP
No. Parte Newark33R1296
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| Cantidad | Precio |
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| 1+ | $1.050 |
| 10+ | $0.718 |
| 100+ | $0.492 |
| 500+ | $0.394 |
| 1000+ | $0.363 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTQ1HNK60R-AP
No. Parte Newark33R1296
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia3
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STQ1HNK60R-AP es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ con carga de compuerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de potencia de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
3W
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STQ1HNK60R-AP
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto