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STPSC4H065DLF
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 4 A, 14.3 nC, PowerFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTPSC4H065DLF
No. Parte Newark99AC9630
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.120 |
| 10+ | $2.010 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.12
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTPSC4H065DLF
No. Parte Newark99AC9630
Hoja de datos técnicos
Rango de Producto-
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650
Corriente Directa Promedio4
Carga Capacitiva Total14.3
Estilo de la Carcasa del DiodoPowerFLAT
No. de Pines5 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650
Carga Capacitiva Total
14.3
No. de Pines
5 Pin
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
4
Estilo de la Carcasa del Diodo
PowerFLAT
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto