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STPSC20H12G2-TR
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTPSC20H12G2-TR
No. Parte Newark50AJ8858
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.900 |
| 10+ | $9.200 |
| 25+ | $8.680 |
| 50+ | $8.160 |
| 100+ | $7.640 |
| 250+ | $7.530 |
| 500+ | $7.420 |
| 1000+ | $7.320 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTPSC20H12G2-TR
No. Parte Newark50AJ8858
Hoja de datos técnicos
Rango de Producto-
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo1.2
Corriente Directa Promedio20
Carga Capacitiva Total129
Estilo de la Carcasa del DiodoD2PAK-HV
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
1.2
Carga Capacitiva Total
129
No. de Pines
3 Pin
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
20
Estilo de la Carcasa del Diodo
D2PAK-HV
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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