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STP9NM60N
MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NM60N
No. Parte Newark94T3497
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.730 |
| 10+ | $2.040 |
| 100+ | $1.870 |
| 500+ | $1.580 |
| 1000+ | $1.480 |
| 2500+ | $1.400 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NM60N
No. Parte Newark94T3497
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.63ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.63ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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