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STP9NK70ZFP
MOSFET, N CHANNEL, 700V, 7.5A, TO-220FP
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NK70ZFP
No. Parte Newark33R1295
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.250 |
| 10+ | $1.900 |
| 100+ | $1.870 |
| 500+ | $1.840 |
| 1000+ | $1.780 |
| 2500+ | $1.470 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NK70ZFP
No. Parte Newark33R1295
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd35W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia35W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP9NK70ZFP es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 700 V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
35W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700V
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
35W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto