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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80NF55
No. Parte Newark47AK7010
Rango de ProductoSTripFET Series
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80NF55
No. Parte Newark47AK7010
Rango de ProductoSTripFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6500µohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET Series
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6500µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
