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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80NF55-06
No. Parte Newark34X2879
Rango de ProductoSTP
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.790 |
| 10+ | $2.310 |
| 100+ | $1.510 |
| 500+ | $1.260 |
| 1000+ | $1.180 |
| 2500+ | $1.110 |
| 10000+ | $1.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80NF55-06
No. Parte Newark34X2879
Rango de ProductoSTP
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6500µohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTP
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STP
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6500µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STP80NF55-06
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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