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STP80NF12.
MOSFET de Potencia, Canal N, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark28AC3451
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.390 |
| 10+ | $2.350 |
| 100+ | $1.760 |
| 500+ | $1.640 |
| 1000+ | $1.580 |
| 2500+ | $1.510 |
| 5000+ | $1.480 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark28AC3451
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza STP80NF12.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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