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STP80NF10.
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.012 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80NF10.
No. Parte Newark28AC3450
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP80NF10.
No. Parte Newark28AC3450
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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