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STP65N150M9
MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP65N150M9
No. Parte Newark65AK6034
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.92 |
| 10+ | $2.86 |
| 25+ | $2.83 |
| 50+ | $2.79 |
| 100+ | $2.76 |
| 250+ | $2.67 |
| 500+ | $2.58 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP65N150M9
No. Parte Newark65AK6034
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.128ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.128ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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