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STP60NF06L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP60NF06L
No. Parte Newark26M3706
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| 1000+ | $0.853 |
| 2500+ | $0.813 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP60NF06L
No. Parte Newark26M3706
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STP60NF06L
2 productos encontrados
Resumen del producto
El STP60NF06L de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia STripFET II de canal N de 60 V y orificio pasante en paquete TO-220. Este MOSFET de potencia está diseñado en un proceso exclusivo de sTripFET que minimiza la capacitancia de entrada y la carga de la puerta, por lo que es adecuado como interruptor principal en convertidores CD-CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones, y está diseñado para cualquier aplicación con accionamiento de carga de puerta baja.
- Capacidad excepcional de dv/dt
- Avalancha probada
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 15V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 60A
- Disipación de potencia (Pd) de 110W
- Baja resistencia de estado encenddo de 12mohm a Vgs 10V
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -65°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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