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STP5NK80ZFP
MOSFET POT, CANAL N, 800V, 4.3A
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP5NK80ZFPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark19M1113
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 10+ | $1.460 |
| 100+ | $1.390 |
| 500+ | $1.230 |
| 1000+ | $1.060 |
| 2500+ | $0.868 |
| 10000+ | $0.825 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP5NK80ZFPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark19M1113
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id4.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.9ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP5NK80ZFP es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 800 V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.4ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
1.9ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
30W
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto