Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP40NF03L
No. Parte Newark26M3695
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $0.782 |
| 100+ | $0.739 |
| 500+ | $0.688 |
| 1000+ | $0.641 |
| 2500+ | $0.562 |
| 10000+ | $0.530 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.59
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP40NF03L
No. Parte Newark26M3695
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP40NF03L es un MOSFET de potencia de canal N STripFET ™ desarrollado utilizando un proceso único basado en tiras de Single Feature Size™. El dispositivo tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia al encendido, características de avalancha robusta y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable.
- Dispositivo de umbral bajo
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto