Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3NK90ZFP
No. Parte Newark93K7715
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1,894 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.10 |
| 10+ | $1.40 |
| 100+ | $1.02 |
| 500+ | $0.89 |
| 1000+ | $0.77 |
| 2500+ | $0.73 |
| 10000+ | $0.70 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.10
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3NK90ZFP
No. Parte Newark93K7715
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.8
Resistencia de Activación Rds(on)4.8ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP3NK90ZFP es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. La serie SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
4.8ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.8
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto