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STP3NK60ZFP
MOSFET, N CH, 600V, 2.4A, TO-220FP
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3NK60ZFP
No. Parte Newark26M3687
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3NK60ZFP
No. Parte Newark26M3687
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id2.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)3.3ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd20W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia20W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.6ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
3.3ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
20W
Disipación de Potencia
20W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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