Imprimir página
STP3N150.
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3N150.Copiar
No. Parte Newark28AC3441
Su número de pieza
Disponible para pedido
Entrega estimada luego de la confirmación del pedido.Se le cobrará en el momento del envío.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $3.160 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$3,160.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP3N150.Copiar
No. Parte Newark28AC3441
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd140W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP3N150 es un PowerMESH™ N-channel Power MOSFET con capacidades intrínsecas minimizadas y Qg. Este Power MOSFET diseñado utilizando el proceso consolidado MESH OVERLAY™ basado en el diseño de tiras de la compañía. El resultado es un producto que iguala o mejora el rendimiento de piezas estándar comparables de otros fabricantes.
- 100% prueba de avalancha
- Conmutación de alta velocidad
- La distancia de fuga es de 5.4mm
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP3N150.
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto