Imprimir página
STP36N55M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 550 V, 33 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP36N55M5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark45AC7719
Rango de ProductoMDmesh V
Su número de pieza
189 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.120 |
| 10+ | $4.580 |
| 25+ | $4.160 |
| 50+ | $3.960 |
| 100+ | $3.590 |
| 250+ | $3.200 |
| 500+ | $3.140 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.12
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP36N55M5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark45AC7719
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds550
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
550
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
190W
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto