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STP33N60DM2
MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-220
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP33N60DM2
No. Parte Newark79Y9468
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.360 |
| 10+ | $3.280 |
| 25+ | $3.210 |
| 50+ | $3.140 |
| 100+ | $3.070 |
| 250+ | $2.910 |
| 500+ | $2.740 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP33N60DM2
No. Parte Newark79Y9468
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.11ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia190W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.11ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
190W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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