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STP30NF10
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP30NF10
No. Parte Newark26M3688
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.989 |
| 10+ | $0.966 |
| 100+ | $0.943 |
| 500+ | $0.860 |
| 1000+ | $0.729 |
| 2500+ | $0.576 |
| 10000+ | $0.541 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP30NF10
No. Parte Newark26M3688
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia115
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP30NF10 es un MOSFET de potencia de canal N de 100V desarrollado utilizando un proceso único basado en tiras de "tamaño de característica única"™. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia, características de avalancha resistentes y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad excepcional de dv/dt
- 100% prueba de avalancha
- Aplicación orientada a la caracterización
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
115W
Disipación de Potencia
115
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STP30NF10
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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