Imprimir página
STP30NF10
MOSFET, N, TO-220
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
149 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.000 |
| 10+ | $1.560 |
| 100+ | $1.020 |
| 500+ | $0.864 |
| 1000+ | $0.731 |
| 2500+ | $0.578 |
| 10000+ | $0.543 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP30NF10
No. Parte Newark26M3688
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia115W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP30NF10 es un MOSFET de potencia de canal N de 100V desarrollado utilizando un proceso único basado en tiras de "tamaño de característica única"™. El transistor resultante muestra una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia, características de avalancha resistentes y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad excepcional de dv/dt
- 100% prueba de avalancha
- Aplicación orientada a la caracterización
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
115W
Disipación de Potencia
115W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STP30NF10
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto