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STP28N65M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 20 A, 150 mohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP28N65M2
No. Parte Newark45AC7715
Rango de ProductoMDmesh M2
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.350 |
| 10+ | $3.070 |
| 25+ | $2.930 |
| 50+ | $2.670 |
| 100+ | $2.420 |
| 250+ | $2.280 |
| 500+ | $2.140 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP28N65M2
No. Parte Newark45AC7715
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia de Activación Rds(on)0.15ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd170W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.15ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
170W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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