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STP28N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STP28N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7714 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.490 |
| 10+ | $3.270 |
| 25+ | $3.010 |
| 50+ | $2.750 |
| 100+ | $2.580 |
| 250+ | $2.430 |
| 500+ | $2.280 |
Precio para:Cada
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Múltiple: 1
$4.49
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STP28N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7714 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 22 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.135ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.135 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 170W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 170 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.135ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Disipación de Potencia Pd | 170W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 22 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.135 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 170 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |