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STP20NM60FP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20NM60FP
No. Parte Newark24M7937
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.72 |
| 10+ | $5.00 |
| 25+ | $4.90 |
| 50+ | $4.63 |
| 100+ | $4.01 |
| 250+ | $3.39 |
| 500+ | $3.22 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.72
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20NM60FP
No. Parte Newark24M7937
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd45W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia45
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP20NM60FP es un MDmesh™ Power MOSFET de canal N que tiene una excelente resistencia baja, dv/dt impresionantemente alto y excelentes características de avalancha. El MDmesh™ es una nueva y revolucionaria tecnología Power MOSFET que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH ™ de la compañía. La adopción de la técnica de tiras patentada de la compañía produce un rendimiento dinámico general que es significativamente mejor que el de productos similares de la competencia.
- 100% prueba de avalancha
- Capacidades de alta dv/dt y avalancha
- Capacitancia de entrada baja y carga de puerta
- Baja resistencia de entrada de compuerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
45W
Disipación de Potencia
45
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP20NM60FP
1 producto (s) encontrado (s)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65