Imprimir página
STP20NM60FD
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20NM60FD
No. Parte Newark26M3681
Su número de pieza
166 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 8 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.330 |
| 10+ | $4.780 |
| 25+ | $4.670 |
| 50+ | $4.550 |
| 100+ | $4.370 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.33
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20NM60FD
No. Parte Newark26M3681
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.29
Resistencia de Activación Rds(on)0.29ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd192W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia192
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STP20NM60FD
2 productos encontrados
Resumen del producto
El STP20NM60FD es un MOSFET de potencia de canal N de FDmesh™ con baja capacitancia de entrada y carga de puerta. El FDmesh™ asocia todas las ventajas de la reducción de la resistencia ON y la conmutación rápida con un diodo corporal intrínseco de recuperación rápida. Por lo tanto, se recomienda encarecidamente para topologías de puente, en particular convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
- Capacidades de alta dv/dt y avalancha
- Baja resistencia de entrada de compuerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.29ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
192W
Disipación de Potencia
192
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.29
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
