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STP20NM50
MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20NM50
No. Parte Newark33R1270
Rango de ProductoSTP
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.790 |
| 10+ | $3.500 |
| 25+ | $3.380 |
| 50+ | $3.250 |
| 100+ | $3.130 |
| 250+ | $2.630 |
| 500+ | $2.460 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20NM50
No. Parte Newark33R1270
Rango de ProductoSTP
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds550V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia192W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSTP
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
550V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STP
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
192W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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