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STP12NK30Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 9 A, 400 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark26M3670
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.770 |
| 10+ | $1.370 |
| 100+ | $1.290 |
| 500+ | $1.150 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $0.998 |
| 10000+ | $0.938 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.77
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark26M3670
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id9
Resistencia de Activación Rds(on)0.4ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia90
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP12NK30Z es un MOSFET de potencia protegido por Zener de canal N SuperMESH™ obtenido a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 0.36Ω RDS (ENCENDIDO)
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
90W
Disipación de Potencia
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia de Activación Rds(on)
0.4ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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