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STP120NF10
MOSFET Transistor, N Channel, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP120NF10
No. Parte Newark33R1250
Rango de ProductoSTP
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.37 |
| 10+ | $2.19 |
| 100+ | $1.68 |
| 500+ | $1.40 |
| 1000+ | $1.21 |
| 2500+ | $1.14 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP120NF10
No. Parte Newark33R1250
Rango de ProductoSTP
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id110A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia312W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTP
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STP
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
312W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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