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STP11NM80
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 11 A, 400 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP11NM80
No. Parte Newark38K7917
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0.4ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STP11NM80
2 productos encontrados
Resumen del producto
El STP11NM80 es un MOSFET de potencia de canal N de MDmesh™ con baja capacitancia de entrada y carga de puerta. Este Power MOSFET se desarrolló utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh™ de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH™ de la compañía. Este dispositivo ofrece una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja, alto dV/dt y excelentes características de avalancha. Utilizando la técnica de tira patentada de ST, este Power MOSFET cuenta con un rendimiento dinámico general que es superior a productos similares en el mercado.
- Baja resistencia de entrada de compuerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
0.4ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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