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STP11NM80
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 11 A, 400 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP11NM80
No. Parte Newark38K7917
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
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| 25+ | $3.770 |
| 50+ | $3.760 |
| 100+ | $3.740 |
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| 500+ | $3.190 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP11NM80
No. Parte Newark38K7917
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400
Resistencia de Activación Rds(on)0.4ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STP11NM80
2 productos encontrados
Resumen del producto
El STP11NM80 es un MOSFET de potencia de canal N de MDmesh™ con baja capacitancia de entrada y carga de puerta. Este Power MOSFET se desarrolló utilizando la revolucionaria tecnología MDmesh™ de STMicroelectronics, que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH™ de la compañía. Este dispositivo ofrece una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja, alto dV/dt y excelentes características de avalancha. Utilizando la técnica de tira patentada de ST, este Power MOSFET cuenta con un rendimiento dinámico general que es superior a productos similares en el mercado.
- Baja resistencia de entrada de compuerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia de Activación Rds(on)
0.4ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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