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STP11NM60
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, TO-220AB
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP11NM60Copiar
No. Parte Newark45AC7687
Rango de ProductoMDmesh
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.590 |
| 10+ | $2.970 |
| 25+ | $2.960 |
| 50+ | $2.960 |
| 100+ | $2.950 |
| 250+ | $2.530 |
| 500+ | $2.240 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP11NM60Copiar
No. Parte Newark45AC7687
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.4ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia160W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.4ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP11NM60
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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