Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP10NK60ZFP
No. Parte Newark26M3662
Su número de pieza
1,157 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.120 |
| 10+ | $2.340 |
| 100+ | $2.040 |
| 500+ | $1.780 |
| 1000+ | $1.550 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.12
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP10NK60ZFP
No. Parte Newark26M3662
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.65ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd35W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia35W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP10NK60ZFP es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 600 V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de una reducción significativa en la resistencia, este MOSFET está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Protejido por zener
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.65ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
35W
Disipación de Potencia
35W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP10NK60ZFP
3 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
