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STN4NF20L
MOSFET, N-CH, 200V, 1A, SOT-223-4
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN4NF20L
No. Parte Newark98Y2484
Rango de ProductoStripFET II
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
8,311 En Inventario
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427 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
7884 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.734 |
| 10+ | $0.536 |
| 25+ | $0.520 |
| 50+ | $0.504 |
| 100+ | $0.488 |
| 250+ | $0.443 |
| 500+ | $0.398 |
| 1000+ | $0.342 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN4NF20L
No. Parte Newark98Y2484
Rango de ProductoStripFET II
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.1
Resistencia de Activación Rds(on)1.1ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia3.3
Disipación de Potencia Pd3.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoStripFET II
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia STripFET™ II de canal N de 200V y 1A en paquete SOT-223 de 4 pines
- Probado avalancha 100%
- Baja carga de compuerta
- Capacidad excepcional de dv/dt
- Diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta
- Adecuado como interruptor primario en convertidores CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.1
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3.3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
StripFET II
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
1.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STN4NF20L
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65