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STN4NF03L
MOSFET, N-CH, 30V, 6.5A, SOT-223
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN4NF03L
No. Parte Newark26M3603
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.496 |
| 10+ | $0.429 |
| 25+ | $0.409 |
| 50+ | $0.388 |
| 100+ | $0.368 |
| 250+ | $0.361 |
| 500+ | $0.347 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN4NF03L
No. Parte Newark26M3603
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia3.3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
6.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
3.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STN4NF03L
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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