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STN3NF06L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN3NF06LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6508
Re-reeling (Rollos a medida)72K6052RL
Cinta adhesiva72K6052
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.750 | $1.75 |
| Total Precio | $1.75 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.750 |
| 50+ | $0.852 |
| 100+ | $0.765 |
| 250+ | $0.688 |
| 500+ | $0.611 |
| 1000+ | $0.561 |
| 2500+ | $0.519 |
| 5000+ | $0.509 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.518 |
| 12000+ | $0.474 |
| 20000+ | $0.465 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN3NF06LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6508
Re-reeling (Rollos a medida)72K6052RL
Cinta adhesiva72K6052
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia Pd3.3W
Disipación de Potencia3.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia STripFET™ II de canal N de 60 V y 4 A en un paquete SOT-223 de 4 pines
- Capacidad excepcional de dv/dt
- Probado avalancha 100%
- Unidad de umbral bajo
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta
- Ideal como conmutador principal en convertidores CD-CD avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones
- Adecuado para cualquier aplicación con requisitos de accionamiento de carga de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
3.3W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STN3NF06L
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto