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STN3NF06L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN3NF06L
No. Parte Newark72K6052
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.150 |
| 10+ | $0.876 |
| 25+ | $0.720 |
| 50+ | $0.595 |
| 100+ | $0.495 |
| 250+ | $0.417 |
| 500+ | $0.340 |
| 1000+ | $0.288 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN3NF06L
No. Parte Newark72K6052
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia3.3
Disipación de Potencia Pd3.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia STripFET™ II de canal N de 60 V y 4 A en un paquete SOT-223 de 4 pines
- Capacidad excepcional de dv/dt
- Probado avalancha 100%
- Unidad de umbral bajo
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta
- Ideal como conmutador principal en convertidores CD-CD avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones
- Adecuado para cualquier aplicación con requisitos de accionamiento de carga de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3.3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STN3NF06L
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto