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STN1NK80Z
MOSFET, N CH, 800V, 0,25A, SOT223
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1NK80ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6506
Re-reeling (Rollos a medida)33R1237RL
Cinta adhesiva33R1237
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.260 | $1.26 |
| Total Precio | $1.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 50+ | $1.010 |
| 100+ | $0.876 |
| 250+ | $0.719 |
| 500+ | $0.611 |
| 1000+ | $0.532 |
| 2500+ | $0.425 |
| 5000+ | $0.401 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.617 |
| 12000+ | $0.565 |
| 20000+ | $0.554 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1NK80ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6506
Re-reeling (Rollos a medida)33R1237RL
Cinta adhesiva33R1237
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente16ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)30V
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STN1NK80Z es un MOSFET SuperMESH™ protegido por Zener de canal N de 800 V con una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
- Carga de puerta minimizada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia de Activación Rds(on)
13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
16ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
30V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto