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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1NK60ZCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1236
Cinta adhesiva33R1236
Su número de pieza
94 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.887 | $0.89 |
| Total Precio | $0.89 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.887 |
| 10+ | $0.631 |
| 25+ | $0.587 |
| 50+ | $0.542 |
| 100+ | $0.498 |
| 250+ | $0.457 |
| 500+ | $0.396 |
| 1000+ | $0.334 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1NK60ZCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1236
Cinta adhesiva33R1236
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente15ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia3.3
Disipación de Potencia Pd3.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia SuperMESH™ de 600 V y 0.3A con protección zener de canal N en paquete SOT-223 de 4 pines
- Probado avalancha 100%
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Carga de puerta minimizada
- Capacidad ESD mejorada
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Logrado a través de la optimización del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST
- Reducción significativa de la resistencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
15ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia de Activación Rds(on)
13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STN1NK60Z
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
