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STN1NK60Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1NK60ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6504
Re-reeling (Rollos a medida)33R1236RL
Cinta adhesiva33R1236
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.280 | $1.28 |
| Total Precio | $1.28 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.280 |
| 50+ | $0.655 |
| 100+ | $0.556 |
| 250+ | $0.500 |
| 500+ | $0.443 |
| 1000+ | $0.406 |
| 2500+ | $0.376 |
| 5000+ | $0.338 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.378 |
| 12000+ | $0.343 |
| 20000+ | $0.336 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1NK60ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6504
Re-reeling (Rollos a medida)33R1236RL
Cinta adhesiva33R1236
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente15ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia3.3
Disipación de Potencia Pd3.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia SuperMESH™ de 600 V y 0.3A con protección zener de canal N en paquete SOT-223 de 4 pines
- Probado avalancha 100%
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Carga de puerta minimizada
- Capacidad ESD mejorada
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Logrado a través de la optimización del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST
- Reducción significativa de la resistencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
15ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia de Activación Rds(on)
13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STN1NK60Z
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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