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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL6N3LLH6
No. Parte Newark26AH0196
Rango de ProductoSTripFET H6
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Hoja de datos técnicos
773 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.962 |
| 10+ | $0.652 |
| 25+ | $0.585 |
| 50+ | $0.518 |
| 100+ | $0.451 |
| 250+ | $0.399 |
| 500+ | $0.346 |
| 1000+ | $0.327 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL6N3LLH6
No. Parte Newark26AH0196
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id13A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia7.8W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
7.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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